Hostname: page-component-54dcc4c588-ff9ft Total loading time: 0 Render date: 2025-10-10T09:16:04.821Z Has data issue: false hasContentIssue false
  • English
  • Français

Experimental Results from γ-irradiated GaAs Crystals Grown with Different Techniques

Published online by Cambridge University Press:  21 February 2011

W. Bencivelli ,
E. Bertolucci ,
U. Bottigli ,
A. Cavallini ,
S. D'Auria ,
C. Da Via ,
C. Del Papa ,
M.E. Fantacci ,
V. Rosso  and
A. Stefanini
...Show all authors
W. Bencivelli
Affiliation:
Istituto di Patologia Speciale Medica dell'Università and Sezione I.N.F.N., Pisa, Italy
E. Bertolucci
Affiliation:
Dipartimento di Fisica dell'Università and Sezione I.N.F.N., Pisa, Italy
U. Bottigli
Affiliation:
Dipartimento di Fisica dell'Università and Sezione I.N.F.N., Pisa, Italy
A. Cavallini
Affiliation:
Dipartimento di Fisica dell'Università and Sezione I.N.F.N., Bologna, Italy
S. D'Auria
Affiliation:
Dipartimento di Fisica dell'Università and Sezione I.N.F.N., Bologna, Italy
C. Da Via
Affiliation:
European Laboratory for Particle Physics (CERN), Geneva, Switzerland
C. Del Papa
Affiliation:
Dipartimento di Fisica dell'Università and Sezione I.N.F.N., Bologna, Italy
M.E. Fantacci
Affiliation:
Dipartimento di Fisica dell'Università and Sezione I.N.F.N., Pisa, Italy
V. Rosso
Affiliation:
Dipartimento di Fisica dell'Università and Sezione I.N.F.N., Pisa, Italy
A. Stefanini
Affiliation:
Dipartimento di Fisica dell'Università and Sezione I.N.F.N., Pisa, Italy
G. Stefanini
Affiliation:
European Laboratory for Particle Physics (CERN), Geneva, Switzerland
Get access

Abstract

Gallium Arsenide crystals are among the most efficient detectors of X-rays at room temperature. Different GaAs crystals have been irradiated with photons from radioactive sources, to compare their response in view of a possible application for Digital Radiology. The detectors have been obtained by various manufacturers and with different techniques (LEC and LPE crystals). Experimental results include I-V curves, charge collection efficiency and detection efficiency as a function of bias. A comparison is made with a simulation program.

Access options

Get access to the full version of this content by using one of the access options below. (Log in options will check for institutional or personal access. Content may require purchase if you do not have access.)

Article purchase

Temporarily unavailable

References

REFERENCES

[1] Bencivelli, W., Bertolucci, E., Bottigli, U., Guerra, A. Del, Mazzei, D., Messineo, A., Nelson, W.R., Randaccio, P., Rosso, V., Russo, P., Stefanini, A., Nucl. Instr. & Meth. A305, 574 (1991).Google Scholar
[2] Alfano, B., Bandettini, A., Bencivelli, W., Bertolucci, E., Bottigli, U., Conti, M., Guerra, A. Del, Fantacci, M.E., Penkowski, M., Randaccio, P., Rosso, V., Russo, P., Stefanini, A., Phys. Med. and Biol. 37(5), 1167 (1992).Google Scholar
[3] Bencivelli, W., Bertolucci, E., Bottigli, U., Guerra, A. Del, Messineo, A., Nelson, W.R., Randaccio, P., Rosso, V., Russo, P., Stefanini, A., Nucl. Instr. & Meth. A310, 210 (1991).Google Scholar
[4] Bertin, R., D'Auria, S., Papa, C. Del, Fiori, F., Lisowski, B., O'Shea, V., Pelfer, P.G., Smith, K., Zichichi, A., Nucl. Instr. & Meth. A294, 211 (1990).CrossRefGoogle Scholar
[5] Alexiev, D. and Butcher, K.S.A., Nucl. Instr. & Meth. A317, 111 (1992).Google Scholar
[6] Nelson, W.R., Hirayama, H., Rogers, D.W.O., Stanford Linear Accelerator Center Report, SLAC-265 (1985).Google Scholar
[7] Gatti, E. and Manfredi, P.F., La Rivista del Nuovo Cimento 1, 20 (1986).Google Scholar
[8] Batignani, G., Bertolucci, E., Bottigli, U., Bucciolini, M., Conti, A., Guerra, A. Del, Pascalis, G. De, Maiano, P., Messineo, A., Milano, F., Randaccio, P., Renzi, R., Rizzo, C., Roberti, G., Rosso, V., Russo, P., Stefanini, A., Phys. Med. 6(1), 39 (1990).Google Scholar
[9] Blankenship, J.L., Mruk, W.F., Bull. Amer. Phys. Soc. 9, 49 (1964).Google Scholar
[10] Sze, S.M., Physics of semiconductor devices, (Wiley-Interscience, New York, 1981), p. 747.Google Scholar